製作 (例 M16A1 A2)

ゲート・ソース間に30kΩ抵抗を取り付ける 金属フランジの場合はチューブで覆う


ゲート・ドレインの各端子を裏側に折り曲げる ゲートに100Ω抵抗を取り付ける


100Ω抵抗に信号腺を取り付ける 熱収縮チューブで覆う


ドレインにモーター側動力線を取り付ける 熱収縮チューブで覆う


ソースにバッテリー側動力線を取り付ける 熱収縮チューブで覆う

プラス側動力線
デバイス組立ての際にFETと重なる部分へ切れ目を入れ、信号腺を巻きつけて半田付けする
信号腺の取り出し向きはメカボックス方向へ 熱収縮チューブで覆う


FETと+側動力線を束ねてユニット全体を熱収縮チューブで覆う
その際チューブの隙間にコーキング材を流し込むのも良いでしょう


全体
使用する銃に合わせてコネクター・モーター端子を取り付けます
コードを熱収縮チューブで束ねて銃に組込みしやすくしておくのも良いでしょう

写真はM16系固定ストック用
ヒューズを配置させていないのでコードがスッキリして見えます
ヒューズを入れたい場合は純正と同じ様に配置させます


テスト
完成したスイッチデバイスをテストしましょう
モーターをバイスなどで固定しておきコードをモーターに接続します

バッテリーを繋ぎ、2本ある信号線を接触させてモーターが動けば完成です 

信号線を接触させても動かない、
バッテリーを繋いだ瞬間
勝手に動き出す等の場合は、
+−の極性が間
違っていないか、回路上でショートしていないかを確認してください
特にFET部分の半田付けやバッテリーコネクター(+−逆)は
注意深く点検してください
信号線の断線も点検してください




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静電気
製作に当たって静電気に注意します。
デバイスとしてはそれほど気に掛ける事もありませんがFET自体は静電気にとても弱いです。
FET素子自体を扱う前に体の静電気を専用の放電バンドなどで放電する事をお勧めします。
作業の前に金属のドアノブなどに触っておくのも良いでしょう。
製作に当たっての注意
各半田作業は素早く行ってください。
コテで部品を熱しすぎると破損、若しくは著しく性能を低下させる事になります。
特にFETへの部品取り付けは一瞬(一秒程度まで)で行います。 
取り付け直後、FETが素手で触れなくなるほど熱してしまったら性能が低下(壊れやすくなる)してしまったとお考えください。 
 
銃の仕様が素子スペック以内の使用にも関わらず、すぐに壊れると言う方は熱破壊を疑ってください。 
熱に注意すれば(作りながら壊さない)壊れにくいスイッチが出来上がります。
半田作業に自信の無い方は要らないコードなどで練習する事をお勧めします。
スイッチデバイスの内容は図のとおり。
図のように配線していけば信号線の取出しなどは自由に出来ます。
直接バッテリーコネクターやモーター側から取り出しても構いません。 

正し機種によっては無駄に信号線が延びてしまうので、
+コード途中から取り出す事が多いです。


作業の簡単な工程
○ 30KΩ抵抗をゲート、ソース間に設置
○ 100Ω抵抗をゲートに設置しマイナス側信号線へ
○ ドレイン モーター側コードへ
○ ソース  バッテリー側コードへ
○ プラスコードより信号線を取り出しバッテリー モーターへ
○ 熱収縮チューブでそれぞれカバー、絶縁
○ コネクター類の取り付け
○ 作動テスト

高温注意

静電気注意
FETスイッチデバイスの製作
回路図